P n переход схема включения

p n переход схема включения
Вблизи -перехода концентрации дырок в области и электронов в области отличаются от равновесной: Из (2.16) следует, что концентрация неосновных носителей заряда на границе -перехода увеличивается по экспоненциальному закону в зависимости от напряжения, приложенного к нему. Если подключить плюс (+) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Это поле вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие, и изменение пространственных зарядов прекращается. Сво­бодных электронов нет, и полупроводник ведет себя, как диэлектрик. Здесь парамет­ром является IБ и его надо поддерживать неизменным при измене­нии температуры.


Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в СССР специалистами НИИ «Пульсар» Бачуриным В. В. (кремниевые приборы) и Ваксембургом В. Я. (арсенид-галлиевые приборы) Исследование их импульсных свойств было выполнено научной школой проф. Поэтому на реальной характеристике при увеличении обратного напряжения до определенного значения наблюдается небольшой рост об­ратного тока. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. h21 = Im2/Im1, при Um2 = 0. Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Следовательно, диффузионная емкость будет определяться не временем жизни неосновных носи­телей в базе, а фактическим меньшим временем нахождения (вре­менем пролета). Однако осуществить уменьшение толщины базы при большой площади p-n перехода технологически очень сложно. Чтобы не допускать перегрева мощные диоды и транзисторы устанавливаются на теплоотводы – радиаторы. Поэтому вредные компоненты Iэ n, Iэ рек долж­ны быть уменьшены.

Транзисторы с индуцированным каналом часто встречаются в устройствах переключения (очень часто в звукотехнике).Схемы включения полевых транзисторов подобны схемам включения биполярных. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Чаще всего применяется схема с общим истоком (а), как дающая большее усиление по току и мощности.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.