Схема фазочувствительного детектора

схема фазочувствительного детектора
Эквивалентной схемой называется модель реального устройства, воспроизводящая основные его свойства. Соленоидальная катушка Поверхностная катушка Поверхностные катушки широко распространены, так как они являются только принимающими катушками и имеют хорошее отношение сигнал-шум для близлежащих к катушке тканей. Требованию представлять наименьшее препятствие для тепломассообмена в зоне размещения датчика наилучшим образом отвечает конденсатор с копланарными (расположенными в одной плоскости) электроламп. Только передающая катушка используется для создания поля B1 и только принимающая катушка используется в сочетании с предыдущей для детекции или приема сигнала от спинов отображаемого объекта.


Нуль-детектор одного из них представляет собой резонансный усилитель с аналоговым выходным прибором, показывающим уровень сигнала. Счетная цепочка самого чувствительного диапазона состоит из шести триггерных ячеек и осуществляет счет каждых 32 импульсов. Поэтому точность определения возмущений зависит от того, насколько точно известно постоянное магнитное поле Земли в той точке, где проводится измерение. Многочисленные исследования природы корпускулярного излучения Солнца и установление связи между этим излучением и полярными сияниями, геомагнитными возмущениями и т. д. выдвинули эту проблему в число центральных проблем современной геофизики. Для экспериментальной проверки наших представлений о межпланетном газе в районе Земли и далеко за ее пределами на советских космических ракетах использовались так называемые протонные ловушки. Мы остановимся на описании одного из видов таких протонных, или ионных, ловушек. Одновременно на опорный вход фазового детектора поступает опорное напряжение той же частоты с выхода модулятора.

Ширина изображенного клина увеличивается по мере увеличения толщины среза. Детекторный компонент оформляется в виде приставка, выполняемой чаще всего по схеме амплитудного детектора с закрытым входом (рис. 8, б), и присоединяется к вольтметру при необходимости измерения переменных напряжений. Таким образом, в базе диода ( n – Si) не происходит накапливания и рассасывания неосновных носителей.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.